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600V N-OSS
蘇州東微半導體
東微半導體成立于2008年，注冊資本5053.2275萬元，是一家技術驅動型的半導體技術公司，在作為半導體核心技術的器件領域有深厚的技術積累，專注半導體器件技術創新，擁有多項半導體器件核心專利。 2013年下半年，東微半導體原創的半浮柵器件的技術論文在美國《科學》期刊上發表，標志著國內科學家在半導體核心技術方向獲得重大突破。新聞聯播、人民日報等媒體均進行了頭條重點報道，引起了國內外業界的高度關注。2016年東微半導體自主研發的新能源汽車直流大功率充電樁用核心芯片成功量產，打破國外廠商壟斷。目前，東微半導體已成為國內高性能功率半導體領域的佼佼者，在新能源領域替代進口半導體產品邁出了堅實一步，產品進入多個國際一線客戶，并受到了客戶的一致好評。
Class Product Name Configuration Package MOQ BVds[V] Id [A] 25℃ Vgs(th) [Typ V] Rds(on) /ohm Vgs=10V Qg [nC] at 10V Features
Typ. Max.
600V N-OSS OSS60R190FF Single_N TO-220F 1000 600 18 3.4 0.16 0.19 15.8 Super Si, ultra-high speed switching
OSS60R190JF Single_N DFN88 2500 600 18 3.4 0.16 0.19 15.8 Super Si, ultra-high speed switching
OSS60R190PF Single_N TO-220 1000 600 18 3.4 0.16 0.19 15.8 Super Si, ultra-high speed switching
OSS60R099JF Single_N DFN88 2500 600 30 3.4 0.08 0.099 21.6 Super Si, ultra-high speed switching
OSS60R099TF Single_N TOLL 2500 600 30 3.4 0.08 0.099 21.6 Super Si, ultra-high speed switching
OSS60R099KF Single_N TO-263 800 600 30 3.4 0.08 0.099 21.6 Super Si, ultra-high speed switching
OSS60R099PF Single_N TO-220 1000 600 30 3.4 0.08 0.099 21.6 Super Si, ultra-high speed switching
OSS60R099HF Single_N TO-247 330 600 30 3.4 0.08 0.099 21.6 Super Si, ultra-high speed switching